- **Type**: N-channel
- **Technology**: OptiMOS™ 3
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 100 A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 400 A
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.2 mΩ (max at V_GS = 10 V)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125 W (at 25°C)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Mounting Type**: Surface Mount
- **Applications**: DC-DC converters, motor control, power management.  

For detailed datasheet information, refer to Infineon's official documentation.

- **Type**: N-channel
- **Technology**: OptiMOS™ 3
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 100 A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 400 A
- **R_DS(on) (max)**: 3.2 mΩ (at V_GS = 10 V, I_D = 50 A)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **Power Dissipation (P_tot)**: 200 W (at 25°C)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Applications**: DC-DC converters, motor control, power management

This information is based on Infineon's datasheet for the BSC032N03SG.

The BSC032N03SG is a high-performance N-channel power MOSFET designed by Infineon Technologies, optimized for efficient power management in a variety of applications. This component features a low on-state resistance (RDS(on)) of just 3.2 mΩ, ensuring minimal conduction losses and improved thermal performance. With a drain-source voltage (VDS) rating of 30 V and a continuous drain current (ID) capability of up to 100 A, it is well-suited for demanding power conversion tasks.  

Built using Infineon’s advanced OptiMOS™ technology, the BSC032N03SG delivers enhanced switching efficiency, making it ideal for synchronous rectification in DC-DC converters, motor control, and battery management systems. Its compact SuperSO8 package provides excellent power density while maintaining robust thermal characteristics.  

Key advantages include fast switching speeds, reduced gate charge (Qg), and low parasitic capacitances, which contribute to lower switching losses in high-frequency applications. Additionally, the MOSFET’s rugged design ensures reliable operation under harsh conditions.  

Engineers seeking a balance between performance, efficiency, and space-saving design will find the BSC032N03SG a compelling choice for modern power electronics solutions. Its combination of low RDS(on) and high current handling makes it particularly valuable in energy-conscious applications.