OptiMOS?2 Power-Transistor The BSC026N02KSG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Part Number:** BSC026N02KSG
- **Manufacturer:** Infineon Technologies
- **Technology:** OptiMOS™ 3
- **Type:** N-Channel
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 25 V
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100 A (at 25°C)
- **R_DS(on) (Max):** 2.6 mΩ (at V_GS = 10 V)
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W (at 25°C)
- **Package:** TO-263 (D2PAK)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C
- **Avalanche Energy (E_AS):** 300 mJ
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45 nC (typical at V_DS = 15 V, V_GS = 10 V)

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications, such as DC-DC converters, motor control, and power management.