- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400 A  
- **R_DS(on) (max):** 2.2 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSC022N03S MOSFET.