OptiMOS?2 Power-Transistor The BSC019N02KSG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** BSC019N02KSG  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Type:** N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100 A (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 1.9 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 200 mJ  
- **Total Gate Charge (Q_G):** 40 nC (typical)  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSC019N02KSG.