OptiMOS?2 Power-Transistor The BSC019N02KS G is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Technology**: OptiMOS™ 5
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 20 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 120 A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 480 A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125 W (at 25°C)
- **R_DS(on) (Max)**: 1.9 mΩ (at V_GS = 10 V, I_D = 60 A)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.35 V (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 2900 pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 950 pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 110 pF (typical)
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C

This MOSFET is designed for high-efficiency power conversion applications.