P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR The BS250 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -45V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -0.13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -0.5A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 0.83W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 5Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 30pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 8pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 30ns  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These are the factual specifications provided by Vishay for the BS250 MOSFET.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR The BS250 is a P-channel MOSFET transistor. Here are its key manufacturer specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Drain Current (I_D)**: -0.13A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 0.36W  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 2.5Ω (typical) at V_GS = -4.5V, I_D = -0.13A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.8V to -2.5V  

The BS250 is commonly used in low-power switching applications.