N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The BS170FTA is a N-channel enhancement mode field effect transistor (FET) manufactured by ZETEX (now part of Diodes Incorporated). Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 500mA  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 1.2A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 830mW  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 500mA  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 0.8V to 3.0V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 50pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 20pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f)**: 12ns (typ)  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.