WIDE WAVELENGTH BAND TYPE PHOTODIODE The BS112 is a P-channel enhancement mode MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor.  

**Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -1.7A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.8V to -2.0V  
- **Package:** TO-92  

This MOSFET is designed for low-voltage switching applications.