The BS108ZL1G is an N-channel enhancement-mode MOSFET designed for low-voltage switching applications. Manufactured by ON Semiconductor, this component offers reliable performance in a compact package, making it suitable for a variety of electronic circuits.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 100V and a continuous drain current (ID) of 0.15A, the BS108ZL1G is ideal for low-power applications such as signal switching, load control, and logic-level interfacing. Its low threshold voltage (VGS(th)) ensures compatibility with modern microcontrollers and digital circuits.  

The MOSFET features a low on-resistance (RDS(on)), which minimizes power dissipation and improves efficiency in switching operations. Packaged in a space-saving SOT-23 form factor, the BS108ZL1G is well-suited for high-density PCB designs where board space is limited.  

Key characteristics include fast switching speeds, robust thermal performance, and high input impedance, making it a versatile choice for designers seeking a dependable small-signal MOSFET. Whether used in consumer electronics, industrial controls, or embedded systems, the BS108ZL1G delivers consistent performance in a cost-effective package.  

Engineers and hobbyists alike can benefit from its straightforward integration and reliable operation in low-power switching scenarios.