Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level The BS108 is a MOSFET transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:  

- **Type**: N-channel enhancement-mode MOSFET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 0.17A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 0.83W  
- **Gate-Source Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V to 3V  
- **On-State Drain-Source Resistance (R_DS(on))**: 5Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Package**: TO-92 (through-hole)  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BS108 MOSFET.

Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level Here are the factual details about part BS108 manufacturer SI specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: SI (Semiconductor Industries)  
- **Part Number**: BS108  
- **Type**: N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 0.15A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 0.8W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 10Ω (at V_GS = 10V, I_D = 0.05A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V to 3V  
- **Package**: TO-92  

These are the confirmed specifications for the BS108 MOSFET as provided by the manufacturer SI.