512Kx8 Nonvolatile SRAM, 10% Voltage Tolerance The **BQ4015YMA-85** is a high-performance **nonvolatile static RAM (NVSRAM)** integrated circuit designed to provide reliable data storage with the speed of SRAM and the persistence of nonvolatile memory. This component is widely used in applications requiring fast read/write operations combined with data retention during power loss, such as industrial systems, medical equipment, and embedded computing.  

Featuring a **16Kb (2K x 8) memory configuration**, the BQ4015YMA-85 ensures seamless operation with an access time of **85ns**, making it suitable for time-critical applications. Its integrated **lithium energy source** and **power-fail control circuitry** automatically preserve data when external power is interrupted, eliminating the need for additional backup batteries.  

The device operates within a **4.5V to 5.5V** supply range and is available in a **28-pin SOIC package**, offering a compact and robust solution for space-constrained designs. With **unlimited write cycles** and a **10-year minimum data retention**, it provides long-term reliability in demanding environments.  

Engineers favor the BQ4015YMA-85 for its **low power consumption**, **industry-standard pinout**, and **high endurance**, making it an optimal choice for mission-critical systems where data integrity is paramount.

512Kx8 Nonvolatile SRAM, 10% Voltage Tolerance The part BQ4015YMA-85 is manufactured by BQ. Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: BQ  
2. **Part Number**: BQ4015YMA-85  
3. **Type**: Non-volatile SRAM (NVSRAM)  
4. **Density**: 4 Mb (512K x 8)  
5. **Access Time**: 85 ns  
6. **Operating Voltage**: 5V  
7. **Interface**: Parallel  
8. **Data Retention**: 10 years minimum  
9. **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
10. **Package**: 32-pin SOIC  

This information is based solely on the available knowledge base.