256Kx8 Nonvolatile SRAM, 5% Voltage Tolerance The **BQ4014MB-120** is a high-performance **non-volatile SRAM (NVSRAM)** integrated circuit designed for applications requiring fast, reliable data storage with battery backup. This component combines the speed of static RAM with the persistence of non-volatile memory, ensuring data integrity during power interruptions.  

Featuring a **128Kb (16K × 8-bit)** memory configuration, the BQ4014MB-120 operates at **5V** and provides **parallel interface** access, making it suitable for industrial, medical, and embedded systems where real-time data retention is critical. Its integrated lithium energy source and power-fail control circuitry enable seamless transitions between main power and backup modes without data loss.  

Key advantages include **unlimited write cycles**, **low-power consumption**, and **fast access times**, ensuring efficient operation in demanding environments. The device is housed in a **32-pin DIP (Dual Inline Package)**, facilitating easy integration into legacy and modern designs.  

Engineers often select the BQ4014MB-120 for applications such as **data logging, RAID systems, and mission-critical storage**, where reliability and speed are paramount. Its robust design and compliance with industry standards make it a dependable choice for systems requiring non-volatile memory with SRAM performance.  

For detailed specifications, consult the official datasheet to ensure compatibility with specific design requirements.