Power LDMOS transistor The BLF7G27LS-90P is a high-power LDMOS transistor manufactured by NXP Semiconductors. Here are its key specifications:

- **Frequency Range**: 2.6 GHz to 2.7 GHz  
- **Output Power**: 90 W (P3dB)  
- **Gain**: 16 dB (typical)  
- **Efficiency**: 45% (typical)  
- **Voltage Supply (VDD)**: 32 V  
- **Package**: Air-cavity ceramic  
- **Application**: Designed for use in RF power amplifiers, particularly in wireless infrastructure applications such as LTE and 4G base stations.  

This information is based on NXP's official datasheet for the BLF7G27LS-90P.

Power LDMOS transistor