- **Type**: LDMOS RF Power Transistor  
- **Frequency Range**: 2.6 GHz to 2.7 GHz  
- **Output Power**: 140 W  
- **Gain**: 16 dB (typical)  
- **Efficiency**: 45% (typical)  
- **Voltage Supply (VDD)**: 32 V  
- **Package**: Air-cavity ceramic  
- **Application**: Designed for use in RF power amplifiers, particularly in **4G/LTE base stations**.  
- **Technology**: Advanced LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)  

This transistor is optimized for high efficiency and linearity in wireless infrastructure applications.  

(Note: Always verify with the latest datasheet from NXP for precise details.)