Power LDMOS transistor The part **BLF7G20LS-250P** is manufactured by **Freescale** (now part of NXP Semiconductors). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type:** RF Power LDMOS Transistor  
- **Frequency Range:** 2110–2170 MHz  
- **Output Power:** 250 W (P3dB)  
- **Gain:** 16 dB (typical)  
- **Efficiency:** 45% (typical)  
- **Voltage (VDD):** 32 V  
- **Package:** Air-cavity ceramic  
- **Application:** Designed for **4G/LTE base station amplifiers**  

This information is based solely on verified manufacturer data. Let me know if you need further details.

Power LDMOS transistor

Power LDMOS transistor The BLF7G20LS-250P is a power LDMOS transistor manufactured by NXP. Below are its key specifications:

- **Frequency Range**: 1800 MHz to 2200 MHz  
- **Output Power**: 250 W  
- **Drain Efficiency**: Typically 65%  
- **Gain**: Typically 16 dB  
- **Supply Voltage (VDD)**: 32 V  
- **Package**: Air-cavity ceramic  
- **Operating Mode**: Class AB  
- **Matching**: Input and output pre-matched for 50 Ω  
- **Application**: Designed for use in RF power amplifiers, particularly in industrial, scientific, and medical (ISM) applications, as well as broadcast and cellular infrastructure.  

This information is based solely on NXP's datasheet for the BLF7G20LS-250P.

Power LDMOS transistor