### Key Specifications:  
- **Type**: LDMOS RF Power Transistor  
- **Frequency Range**: 1.8 GHz to 2.2 GHz  
- **Output Power**: 140 W (PEP)  
- **Voltage Rating**: 32 V  
- **Gain**: Typically 17 dB  
- **Efficiency**: Typically 45%  
- **Package**: Air-cavity ceramic  
- **Application**: RF power amplification in industrial, scientific, and medical (ISM) applications  

This transistor is designed for high-power RF amplification, particularly in the 2 GHz frequency band.  

Would you like any additional details?