**Key Specifications:**  
- **Type:** N-channel RF power LDMOS transistor  
- **Frequency Range:** 470–860 MHz (UHF band)  
- **Output Power:** 45 W (typical)  
- **Gain:** 14 dB (typical)  
- **Drain Efficiency:** 30–40% (depending on operating conditions)  
- **Voltage Rating:** 28 V (typical drain voltage)  
- **Package:** SOT502A (flanged metal-ceramic)  

**Applications:**  
- UHF broadcast transmitters  
- RF power amplifiers  

This information is based on PHILIPS/NXP datasheets.