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BF184 from ON/ST,ON Semiconductor

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BF184

Manufacturer: ON/ST

Conductor Products, Inc. - Electrical characterlitics

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BF184 ON/ST 1000 In Stock

Description and Introduction

Conductor Products, Inc. - Electrical characterlitics The BF184 is a high-frequency NPN transistor manufactured by ON Semiconductor (ON/ST).  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon RF Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification (VHF/UHF)  
- **Collector-Base Voltage (VCB):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCE):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEB):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 20mA  
- **Power Dissipation (Ptot):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 700MHz (typical)  
- **Noise Figure (NF):** Low noise for RF applications  
- **Package:** TO-92 (plastic case)  

### **Typical Applications:**  
- RF amplifiers  
- Oscillators  
- VHF/UHF circuits  

For exact electrical characteristics, refer to the official ON Semiconductor datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

Conductor Products, Inc. - Electrical characterlitics # BF184 NPN RF Transistor Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BF184 is primarily employed in  high-frequency amplification circuits  where its NPN silicon construction provides excellent RF performance. Common implementations include:

-  VHF/UHF amplifier stages  in television tuners (30-300 MHz range)
-  Oscillator circuits  in FM radio receivers (88-108 MHz)
-  RF mixer applications  in communication equipment
-  Impedance matching networks  in antenna systems
-  Low-noise preamplifiers  for weak signal reception

### Industry Applications
 Broadcast Electronics : Television tuner modules, FM radio receivers, and signal processing equipment extensively utilize the BF184 due to its stable performance across VHF bands.

 Telecommunications : Used in two-way radio systems, base station equipment, and wireless data links where reliable RF amplification is critical.

 Test & Measurement : Incorporated in signal generators, spectrum analyzers, and RF test equipment as buffer amplifiers and driver stages.

### Practical Advantages
-  High transition frequency  (fT ≈ 600 MHz) enables excellent high-frequency response
-  Low noise figure  (typically 3-4 dB) suitable for sensitive receiver applications
-  Good power gain  (typically 15-20 dB at 100 MHz) provides effective signal amplification
-  Robust construction  with metal can packaging for superior thermal performance
-  Wide operating voltage range  (12-24V typical) offers design flexibility

### Limitations
-  Limited power handling  (Ptot = 300 mW) restricts use in high-power applications
-  Temperature sensitivity  requires careful thermal management in compact designs
-  Obsolete packaging  (TO-72 metal can) may present PCB layout challenges in modern designs
-  Limited availability  as newer surface-mount alternatives have largely replaced through-hole RF transistors

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Runaway 
*Problem*: NPN construction combined with high-frequency operation can lead to thermal instability.
*Solution*: Implement emitter degeneration resistors (1-10Ω) and ensure adequate heatsinking. Monitor collector current with temperature changes.

 Oscillation Issues 
*Problem*: Parasitic oscillations at unintended frequencies due to stray capacitance and inductance.
*Solution*: Use proper RF grounding techniques, incorporate ferrite beads in supply lines, and implement neutralization capacitors where necessary.

 Impedance Mismatch 
*Problem*: Poor power transfer and standing wave ratio (SWR) issues.
*Solution*: Employ proper impedance matching networks using LC circuits or transmission line transformers.

### Compatibility Issues

 Passive Components 
- Requires  NP0/C0G capacitors  for stable frequency response in tuned circuits
-  RF chokes  must have self-resonant frequency above operating band
-  Bypass capacitors  should include both ceramic (high-frequency) and electrolytic (low-frequency) types

 Active Components 
- Compatible with  low-noise op-amps  for baseband processing
- May require  buffer stages  when driving high-capacitance loads
-  Mixer ICs  should have appropriate LO drive levels to prevent overdrive

### PCB Layout Recommendations

 Grounding Strategy 
- Use  continuous ground plane  on component side
- Implement  star grounding  for RF and DC supply returns
- Ensure  short ground connections  for emitter/base bypass components

 Component Placement 
- Keep  input/output traces  physically separated to prevent feedback
- Position  bypass capacitors  as close as possible to transistor pins
- Use  surface-mount components  for decoupling to minimize lead inductance

 Trace Design 
- Maintain  50Ω characteristic impedance  for RF traces
- Use  curved corners  instead of 90° bends to minimize reflections
- Implement

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