Dual N-channel dual gate MOS-FET The part BF1205 is a dual common-base NPN RF transistor manufactured by NXP. Key specifications include:

- **Package**: SOT143B (4-pin)
- **Frequency Range**: Up to 6 GHz
- **Noise Figure**: 1.1 dB (typical at 2 GHz)
- **Gain**: 14 dB (typical at 2 GHz)
- **Collector Current (Ic)**: 5 mA (typical)
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 12 V
- **Power Dissipation**: 250 mW
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +125°C

It is designed for low-noise amplifier (LNA) applications in RF and microwave circuits.

Dual N-channel dual gate MOS-FET The BF1205 is a dual N-channel RF MOSFET designed for use in high-frequency applications. Here are the key specifications from the manufacturer NXP/Philips:

- **Type**: Dual N-channel RF MOSFET  
- **Package**: SOT-143B (4-pin)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 12 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8 V  
- **Drain Current (I_D)**: 30 mA per channel  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 200 mW  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Typical Applications**: RF amplifiers, mixers, and oscillators in VHF/UHF bands  

For detailed electrical characteristics, refer to the official NXP/Philips datasheet.