N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs The part BF1202WR is manufactured by PHILIPS. Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** PHILIPS  
- **Part Number:** BF1202WR  
- **Type:** RF Transistor  
- **Material:** Silicon  
- **Package:** SOT-323  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 12V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 12V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 3V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 250mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 8GHz  
- **Noise Figure (NF):** 1.2dB (typical at 1.8GHz)  
- **Gain (h_FE):** 40-200  

This information is strictly based on the available data for the BF1202WR transistor from PHILIPS.