N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs The part BF1202R is manufactured by PHILIPS. It is a dual N-channel RF MOSFET designed for use in RF amplifier applications. Key specifications include:

- **Type:** Dual N-channel RF MOSFET
- **Package:** SOT-143B
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 12 V
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8 V
- **Drain Current (I_D):** 30 mA
- **Power Dissipation (P_tot):** 200 mW
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Application:** RF amplifiers, VHF/UHF applications  

For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official PHILIPS datasheet.

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs The BF1202R is a dual N-channel RF MOSFET designed for high-frequency applications. Here are the key specifications from the manufacturer NXP/PHILIPS:

- **Type**: Dual N-channel RF MOSFET  
- **Package**: SOT143R  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 12 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8 V  
- **Drain Current (I_D)**: 30 mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 200 mW  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Transition Frequency (f_T)**: 6 GHz  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 0.4 pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 0.25 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 0.05 pF  

These specifications are based on NXP/PHILIPS datasheet information.