N-channel dual-gate MOSFET **Introduction to the BF1201R Electronic Component by Philips**  

The BF1201R is a high-performance electronic component developed by Philips, designed for use in RF and microwave applications. This N-channel dual-gate MOSFET is particularly suited for mixer and amplifier circuits, offering excellent gain, low noise, and superior linearity. Its robust construction ensures reliable operation in demanding environments, making it a preferred choice for communication and signal processing systems.  

Key features of the BF1201R include a low feedback capacitance and high input impedance, which contribute to stable performance across a wide frequency range. The dual-gate design allows for enhanced control over signal amplification, making it ideal for applications requiring precise tuning and modulation. Additionally, its compact form factor facilitates integration into various circuit designs without compromising efficiency.  

Engineers and designers often select the BF1201R for its consistent performance in VHF and UHF applications, including broadcast receivers, transceivers, and RF front-end modules. With Philips' reputation for quality and innovation, this component remains a trusted solution for professionals seeking high-reliability RF transistors.  

The BF1201R exemplifies Philips' commitment to delivering advanced semiconductor solutions that meet the evolving needs of modern electronics.

N-channel dual-gate MOSFET The **BF1201R** from NXP Semiconductors is a high-performance RF transistor designed for low-noise amplification in wireless communication applications. This N-channel dual-gate MOSFET is optimized for use in VHF and UHF frequency ranges, making it suitable for TV tuners, FM radio receivers, and other RF front-end circuits requiring excellent signal clarity and minimal distortion.  

Key features of the BF1201R include a low noise figure, high gain, and superior linearity, ensuring reliable performance in demanding RF environments. Its dual-gate structure allows for improved gain control and enhanced signal handling, making it a versatile choice for designers working on sensitive receiver systems.  

With a compact SOT-143 package, the BF1201R is well-suited for space-constrained applications while maintaining robust thermal and electrical characteristics. Its compatibility with automated assembly processes further enhances its appeal for modern electronic manufacturing.  

Engineers seeking a dependable RF transistor for low-noise amplification will find the BF1201R to be a well-balanced solution, combining performance, efficiency, and ease of integration into a variety of circuit designs.

N-channel dual-gate MOSFET The BF1201R is a dual-gate MOSFET transistor manufactured by NXP/Philips.  

**Key Specifications:**  
- **Type:** N-channel dual-gate MOSFET  
- **Package:** SOT143B  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 12 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8 V  
- **Drain Current (I_D):** 30 mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200 mW  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Typical Applications:** RF amplifiers, mixers, and VHF/UHF circuits  

This information is based on NXP/Philips datasheets.