Dual-gate MOS-FETs The BF1100R is a Schottky barrier diode manufactured by NXP/Philips. Here are its key specifications:

- **Type**: Schottky barrier diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM)**: 100 V
- **Maximum average forward rectified current (IO)**: 0.1 A (100 mA)
- **Peak forward surge current (IFSM)**: 1 A (non-repetitive)
- **Forward voltage (VF)**: 0.85 V (typical) at 0.1 A
- **Reverse current (IR)**: 0.1 µA (typical) at 80 V
- **Operating junction temperature range (Tj)**: -65°C to +125°C
- **Storage temperature range (Tstg)**: -65°C to +150°C

These specifications are based on the datasheet provided by NXP/Philips.

Dual-gate MOS-FETs **Introduction to the BF1100R Electronic Component**  

The BF1100R, developed by Philips, is a high-performance electronic component designed for applications requiring reliable signal processing and amplification. As part of Philips' semiconductor lineup, this device is engineered to deliver precision and efficiency in various circuits, making it suitable for industrial, automotive, and consumer electronics applications.  

Featuring robust construction and stable performance, the BF1100R is optimized for low-noise operation, ensuring minimal signal distortion. Its design incorporates advanced semiconductor technology to enhance thermal management and power handling, contributing to extended operational lifespan.  

Key characteristics of the BF1100R include high gain, low power consumption, and compatibility with a range of voltage levels, making it versatile for integration into diverse electronic systems. Engineers and designers often utilize this component in audio amplifiers, RF circuits, and other signal-conditioning modules where consistent performance is critical.  

With Philips' reputation for quality and innovation, the BF1100R exemplifies the company's commitment to delivering dependable semiconductor solutions. Its technical specifications and reliability make it a preferred choice for professionals seeking high-performance components in demanding electronic applications.

Dual-gate MOS-FETs The BF1100R is a component manufactured by NXP. Here are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: NXP  
- **Type**: RF Transistor  
- **Application**: Designed for RF power amplification in applications such as industrial, scientific, and medical (ISM) bands.  
- **Frequency Range**: Typically operates in the 860 MHz to 960 MHz range.  
- **Package**: SOT-502 (also known as SOT-502A), a surface-mount package.  
- **Power Output**: Capable of delivering high RF output power suitable for ISM applications.  
- **Voltage Rating**: Supports standard RF transistor voltage levels (exact value depends on operating conditions).  
- **Technology**: Based on LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor) for efficient power amplification.  

For precise electrical characteristics, refer to NXP's official datasheet for the BF1100R.

Dual-gate MOS-FETs **Introduction to the BF1100R Electronic Component**  

The BF1100R is a high-performance electronic component developed by Philips, designed for use in RF and microwave applications. This device is a silicon bipolar transistor optimized for low-noise amplification, making it particularly suitable for communication systems, broadcast equipment, and other high-frequency circuits.  

With its robust construction and reliable performance, the BF1100R offers excellent gain and noise figure characteristics, ensuring signal integrity in demanding environments. Its compact design and efficient thermal management contribute to stable operation across a wide range of frequencies.  

Engineers and designers often select the BF1100R for its consistent performance in both commercial and industrial applications. The component's compatibility with standard circuit configurations simplifies integration, while its durability ensures long-term reliability.  

Key features of the BF1100R include low distortion, high linearity, and superior power handling capabilities, making it a preferred choice for RF amplification stages. Whether used in transmitters, receivers, or signal processing systems, this transistor delivers precise and efficient signal amplification.  

In summary, the BF1100R from Philips represents a well-engineered solution for high-frequency electronic designs, combining performance, reliability, and ease of use for modern RF applications.