Silicon N-Channel MOSFET Tetrode The part BF1012S is manufactured by Infineon. It is a silicon N-channel RF MOSFET designed for applications in the VHF/UHF frequency range. Key specifications include:

- **Frequency Range:** Up to 1 GHz  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 12 V  
- **Drain Current (I_D):** 100 mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1.5 W  
- **Gain (G₁):** 12 dB (typical at 175 MHz)  
- **Noise Figure (NF):** 1.5 dB (typical at 175 MHz)  
- **Package:** SOT-143  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BF1012S.