Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 12V Integrated stabilized bias network The part BF1012 is manufactured by PHILIPS. No further specifications are provided in Ic-phoenix technical data files.

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 12V Integrated stabilized bias network The part BF1012 is manufactured by **Infineon**. Here are its specifications:

- **Type**: N-Channel RF MOSFET  
- **Package**: SOT-23  
- **Voltage Rating (Vds)**: 12V  
- **Current Rating (Id)**: 30mA  
- **Power Dissipation (Pd)**: 200mW  
- **Frequency Range**: Up to 1GHz  
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±8V  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1.2pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss)**: 0.5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 0.2pF (typical)  
- **Application**: RF amplification in VHF/UHF circuits  

These are the confirmed specifications for the **Infineon BF1012** from Ic-phoenix technical data files.