Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9V Integrated bias network) The part BF1009S is manufactured by Infineon. Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: Infineon  
- **Type**: RF Transistor  
- **Package**: SOT-23  
- **Application**: RF Amplification  
- **Frequency Range**: Up to 1 GHz  
- **Power Dissipation**: 300 mW  
- **Collector Current**: 50 mA  
- **Voltage (Vceo)**: 12 V  
- **Gain (hFE)**: 10 dB (typical)  
- **Noise Figure**: 1.5 dB (typical)  

These are the factual specifications for the BF1009S as provided by Infineon.