PNP Epitaxial Silicon Transistor The BDX54C is a PNP power transistor manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Darlington transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -100V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -100V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Continuous Collector Current (IC)**: -8A
- **Peak Collector Current (ICM)**: -15A
- **Power Dissipation (Ptot)**: 60W
- **DC Current Gain (hFE)**: 750 (min) at IC = 4A, VCE = -4V
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -65°C to +150°C
- **Package**: TO-220 (isolated tab)

These specifications are based on STMicroelectronics' datasheet for the BDX54C.