NPN Epitaxial Silicon Transistor The BDX53C is a high-power NPN Darlington transistor manufactured by Fujitsu (FUJ). Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Darlington transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 100V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 100V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 8A (continuous)
- **Power Dissipation (Ptot)**: 50W (at 25°C)
- **DC Current Gain (hFE)**: 750 (min) at IC = 4A, VCE = 4V
- **Transition Frequency (fT)**: 2MHz (typical)
- **Package**: TO-220 (isolated tab)

These specifications are based on Fujitsu's datasheet for the BDX53C.