NPN Epitaxial Silicon Transistor The BDX53B is a PNP power transistor manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Darlington Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -100V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -100V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -8A (DC)
- **Base Current (IB)**: -4A (DC)
- **Power Dissipation (Ptot)**: 50W (at 25°C)
- **DC Current Gain (hFE)**: 750 (min) at IC = 4A, VCE = -4V
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (typ)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C
- **Package**: TO-220 (isolated tab)

The BDX53B is designed for general-purpose power amplification and switching applications. It features high current gain, low saturation voltage, and built-in base-emitter shunt resistors. 

(Source: STMicroelectronics datasheet)