**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -100V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -100V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** -8A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 60W  
- **DC Current Gain (hFE):** 750 (min) at IC = 4A, VCE = -4V  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

**Applications:**  
- Power amplification  
- Switching applications  

For exact datasheet details, refer to STMicroelectronics' official documentation.