PNP Epitaxial Silicon Transistor The BDX34C is a PNP power transistor manufactured by STMicroelectronics. Below are the key specifications from the ST datasheet:

1. **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
2. **Package**: TO-220 (isolated tab)  
3. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45V  
4. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60V  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
6. **Continuous Collector Current (I_C)**: -8A  
7. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 64W (at T_case ≤ 25°C)  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 20 to 100 (at I_C = -4A, V_CE = -4V)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz (typical)  
10. **Operating Junction Temperature (T_j)**: -65°C to +150°C  

These specifications are based on the official STMicroelectronics datasheet for the BDX34C transistor.

PNP Epitaxial Silicon Transistor The BDX34C is a PNP silicon power transistor manufactured by ON Semiconductor (formerly part of Motorola). Here are its key specifications:  

- **Type**: PNP Silicon Power Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -8A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W (at 25°C case temperature)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15 to 75 (at I_C = 4A, V_CE = -4V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -65°C to +150°C  
- **Package**: TO-220 (complementary to NPN BDX33C)  

These specifications are based on ON Semiconductor's datasheet for the BDX34C.