PNP Epitaxial Silicon Transistor The BDX34A is a PNP power transistor manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications from the datasheet:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-126  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -100V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -100V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -8A (continuous)  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 40W (at case temperature ≤ 25°C)  
- **DC Current Gain (hFE)**: 15 to 75 (at IC = 4A, VCE = -4V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 3MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These are the factual specifications provided by STMicroelectronics for the BDX34A transistor.

PNP Epitaxial Silicon Transistor The BDX34A is a PNP silicon power transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: PNP Silicon Power Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -4A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 40W (at T_C = 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15 to 75 (at I_C = 2A, V_CE = -4V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: TO-126  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the BDX34A.