NPN Epitaxial Silicon Transistor The BDW93C is a PNP power transistor manufactured by STMicroelectronics (ST). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
2. **Package**: TO-220  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -100V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -80V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
6. **Continuous Collector Current (IC)**: -12A  
7. **Peak Collector Current (ICM)**: -24A (pulsed)  
8. **Power Dissipation (Ptot)**: 80W  
9. **DC Current Gain (hFE)**: 20 to 70 (at IC = -4A, VCE = -4V)  
10. **Transition Frequency (fT)**: 3MHz (typical)  
11. **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These are the factual specifications for the BDW93C transistor from STMicroelectronics.