NPN Epitaxial Silicon Transistor The BDW93C is a power Darlington transistor manufactured by STMicroelectronics. Here are the key specifications from the datasheet:

- **Type**: NPN Darlington transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 12A (continuous)  
- **Peak Collector Current (I_CM)**: 24A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 80W at 25°C  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 750 (min) at I_C = 8A  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -40°C to +150°C  
- **Package**: TO-220  

The transistor is designed for high-current switching and amplification applications.  

(Source: STMicroelectronics BDW93C datasheet)