NPN Epitaxial Silicon Transistor The BDW93 is a power transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Darlington Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 100V  
- **Collector Current (I_C)**: 12A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 100W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 750 (min) at I_C = 10A  
- **Package**: TO-220  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Applications**: Power switching, motor control, and general-purpose amplification  

This information is based on Fairchild's datasheet for the BDW93.

NPN Epitaxial Silicon Transistor The BDW93 is a power transistor manufactured by FAI (Fairchild Semiconductor). Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: PNP Darlington Transistor  
- **Package**: TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -12A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 80W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 750 (min) at I_C = 4A  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -65°C to +150°C  
- **Storage Temperature (T_stg)**: -65°C to +150°C  

These specifications are based on FAI's datasheet for the BDW93 transistor.