Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 The BDW83A is a power transistor manufactured by SGS (now STMicroelectronics). Below are its key specifications:  

- **Type**: PNP Darlington transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -12A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 80W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 750 (min) at I_C = -4A  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on the original datasheet from SGS. For precise applications, refer to the official documentation.