PNP Silicon AF Power Transistors The BDP950-E6327 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Package**: TO-252 (DPAK)
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 50 A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 200 A
- **Power Dissipation (P_D)**: 125 W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 8.5 mΩ (max) at V_GS = 10 V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2 V (min) to 4 V (max)
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 95 nC (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.