SILICON EPITAXIAL BASE POWER TRANSISTORS The BD941F is a bipolar transistor manufactured by PHILIPS. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: Designed for use in high-frequency amplification and switching applications.
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 30V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 40V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 1A
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1W
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 - 250 (depending on operating conditions)
- **Package**: TO-92 (plastic encapsulation)

For exact operating conditions and additional parameters, refer to the official PHILIPS datasheet.

SILICON EPITAXIAL BASE POWER TRANSISTORS The BD941F is a bipolar transistor manufactured by PHIL (Philips). Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 10W (with heatsink)
- **Transition Frequency (fT)**: 60MHz
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320 (depending on operating conditions)
- **Package**: TO-220 (plastic)