COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS The BD911 is a PNP power transistor manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-220  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -100V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -100V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -15A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 100W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 15 to 60 (at IC = -4A, VCE = -4V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 3MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These specifications are based on STMicroelectronics' datasheet for the BD911 transistor.