COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS The BD909 is a PNP transistor manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1A (max)  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 250 (at IC = 500mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the factual specifications provided by STMicroelectronics for the BD909 transistor.

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS The BD909 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ROHM Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP BJT  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 60-320 (at IC = -0.5A, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on ROHM's datasheet for the BD909 transistor.