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BD679A from ST,ST Microelectronics

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BD679A

Manufacturer: ST

Leaded Power Transistor Darlington

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BD679A ST 394 In Stock

Description and Introduction

Leaded Power Transistor Darlington The BD679A is a power transistor manufactured by STMicroelectronics (ST). Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Darlington Transistor
- **Package**: TO-126
- **Collector-Emitter Voltage (VCE)**: 80V
- **Collector Current (IC)**: 4A
- **Power Dissipation (Ptot)**: 40W
- **DC Current Gain (hFE)**: 750 (min) at IC = 2A
- **Transition Frequency (fT)**: 20MHz (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C

These specifications are based on ST's datasheet for the BD679A transistor.

Application Scenarios & Design Considerations

Leaded Power Transistor Darlington# BD679A NPN Darlington Transistor Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BD679A is a high-power NPN Darlington transistor primarily employed in applications requiring substantial current amplification with minimal drive requirements. Key use cases include:

-  Power Switching Circuits : Capable of handling collector currents up to 4A, making it suitable for motor drivers, relay controllers, and high-power LED drivers
-  Audio Amplification : Used in output stages of audio amplifiers up to 40W, particularly in Class AB configurations
-  Voltage Regulation : Employed in series-pass regulators and linear power supplies due to its high current gain and power dissipation capability
-  Industrial Control Systems : Interfaces between low-power control circuits and high-power actuators in PLCs and automation equipment

### Industry Applications
-  Automotive Electronics : Power window controllers, fan speed regulators, and lighting control systems
-  Consumer Electronics : Power supplies for home appliances, audio systems, and large display drivers
-  Industrial Automation : Motor control circuits, solenoid drivers, and power management systems
-  Telecommunications : Power amplification in transmission equipment and backup power systems

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
- High DC current gain (hFE min 750 @ IC = 2A, VCE = 4V)
- Built-in base-emitter shunt resistors for improved stability
- High collector-emitter voltage rating (80V)
- Robust power handling (40W maximum power dissipation)
- Darlington configuration reduces drive circuit complexity

 Limitations: 
- Higher saturation voltage (VCE(sat) typically 2V @ IC = 2A) compared to single transistors
- Slower switching speeds due to Darlington structure
- Requires adequate heat sinking for maximum power operation
- Limited high-frequency performance

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Thermal Management Issues: 
-  Pitfall : Inadequate heat sinking leading to thermal runaway
-  Solution : Implement proper thermal calculations and use heatsinks with thermal resistance < 4°C/W for full power operation

 Stability Problems: 
-  Pitfall : Oscillations in high-gain applications
-  Solution : Include base stopper resistors (10-100Ω) and bypass capacitors near the device

 Overcurrent Protection: 
-  Pitfall : Lack of current limiting during fault conditions
-  Solution : Implement fuse protection or current sensing circuits with shutdown capability

### Compatibility Issues with Other Components
 Driver Circuit Compatibility: 
- Requires minimal drive current (typically 5-10mA for full output)
- Compatible with CMOS and TTL logic levels when using appropriate interface circuits
- May require level shifting when interfacing with low-voltage microcontrollers

 Load Compatibility: 
- Suitable for inductive loads when protected with flyback diodes
- Compatible with capacitive loads up to specified limits
- Requires current limiting for LED applications

### PCB Layout Recommendations
 Thermal Management: 
- Use large copper pours connected to the collector pin for heat dissipation
- Include multiple thermal vias when using multilayer boards
- Position away from heat-sensitive components

 Signal Integrity: 
- Keep base drive components close to the transistor
- Use star grounding for power and signal grounds
- Implement proper decoupling: 100nF ceramic capacitor near base, 10μF electrolytic near collector

 Power Routing: 
- Use wide traces for collector and emitter connections (minimum 2mm width for 2A current)
- Separate high-current and low-current paths
- Include test points for critical parameters (VCE, IC)

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations
 Absolute Maximum Ratings: 
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 80V
- Collector Current (IC): 4A (continuous)
- Base

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