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BD336 from ST,ST Microelectronics

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BD336

Manufacturer: ST

SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BD336 ST 140 In Stock

Description and Introduction

SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR The BD336 is a PNP transistor manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-39 (Metal Can)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1A (max)  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 8W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 160 (at IC = 500mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz (min)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C  

These specifications are based on STMicroelectronics' datasheet for the BD336 transistor.

Application Scenarios & Design Considerations

SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR# BD336 Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BD336 is a versatile NPN bipolar junction transistor (BJT) primarily employed in  medium-power amplification  and  switching applications . Common implementations include:

-  Audio Amplification Stages : Used in Class AB push-pull configurations for output stages in audio amplifiers (5-30W range)
-  Motor Drive Circuits : Suitable for DC motor control in appliances and automotive systems
-  Voltage Regulation : Employed in series pass regulator circuits for stable power supply outputs
-  LED Driver Systems : Current regulation for high-power LED arrays
-  Relay and Solenoid Drivers : Switching inductive loads with appropriate protection

### Industry Applications
-  Consumer Electronics : Audio systems, power supplies for home appliances
-  Automotive Systems : Window motor controls, fan drivers, lighting circuits
-  Industrial Control : Motor drives, solenoid actuators, power management
-  Telecommunications : Power amplification in RF stages (up to 3MHz)

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Current Capability : Continuous collector current up to 4A
-  Good Power Handling : Maximum power dissipation of 36W
-  Robust Construction : TO-126 package provides excellent thermal performance
-  Wide Voltage Range : VCEO of 60V supports various circuit configurations
-  Cost-Effective : Economical solution for medium-power applications

 Limitations: 
-  Moderate Frequency Response : Limited to applications below 3MHz
-  Thermal Management Required : Requires heatsinking for full power operation
-  Beta Variation : Current gain (hFE) varies significantly with temperature and current
-  Saturation Voltage : VCE(sat) of 1.5V may limit efficiency in low-voltage applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Runaway 
-  Problem : Increasing temperature reduces VBE, increasing base current, creating positive feedback
-  Solution : Implement emitter degeneration resistors and proper thermal management

 Secondary Breakdown 
-  Problem : Localized heating at high voltage and current combinations
-  Solution : Operate within safe operating area (SOA) limits, use derating factors

 Inductive Load Switching 
-  Problem : Voltage spikes from inductive kickback can exceed VCEO
-  Solution : Implement snubber circuits or flyback diodes

### Compatibility Issues with Other Components

 Driver Circuit Compatibility 
- Requires adequate base drive current (typically 100-400mA for full saturation)
- CMOS logic outputs may need buffer stages for proper drive capability
- Compatible with most op-amp outputs when used with current limiting resistors

 Power Supply Considerations 
- Ensure power supply can deliver required peak currents
- Decoupling capacitors essential for stable operation in amplifier circuits
- Consider inrush current requirements for motor starting applications

### PCB Layout Recommendations

 Thermal Management 
- Use generous copper pours connected to the collector tab
- Minimum 2oz copper thickness recommended for power traces
- Provide adequate clearance for heatsink mounting

 Signal Integrity 
- Keep base drive components close to the transistor
- Separate high-current collector paths from sensitive signal traces
- Use star grounding for power and signal grounds

 Parasitic Reduction 
- Minimize lead lengths in high-frequency applications
- Use bypass capacitors close to collector and emitter pins
- Implement proper RF grounding techniques for amplifier applications

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Absolute Maximum Ratings 
-  VCEO : 60V (Collector-Emitter Voltage) - Maximum voltage between collector and emitter with base open
-  IC : 4A (Collector Current) - Maximum continuous collector current
-  PC : 36W (Power Dissipation) - Maximum power dissipation at TC = 25°C

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