NPN power transistor The BD329 is a PNP transistor manufactured by PHILIPS. Here are its key specifications:  

- **Type**: PNP transistor  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1W  
- **Transition Frequency (fT)**: 50MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-39 (metal can)  

These specifications are based on the original PHILIPS datasheet for the BD329 transistor.

NPN power transistor The part BD329 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications:  

- **Type:** PNP BJT  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -0.5A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 250 (depending on conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For exact performance under specific conditions, refer to the official documentation.