NPN SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS The BD245C is a power transistor manufactured by BOURNS. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 10A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 65W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15 to 75 (at I_C = 4A, V_CE = 4V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These are the factual specifications for the BD245C transistor from BOURNS.

NPN SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS The BD245C is a PNP power transistor manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -6A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 40W (at case temperature ≤ 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15 to 75 (at I_C = -4A, V_CE = -4V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -65°C to +150°C  

The transistor is packaged in a TO-220 case.  

(Source: STMicroelectronics datasheet)