NPN SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS The BD245 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications:

- **Type:** PNP  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -45V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -3A (continuous)  
- **Power Dissipation (Ptot):** 25W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 250 (at IC = -500mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 3MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the BD245 transistor.

NPN SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS The BD245 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by TOS (Toshiba). Below are its key specifications:  

- **Type**: PNP  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO)**: -60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -6A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 40W  
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C  
- **DC Current Gain (hFE)**: 20 to 70 (at IC = -3A, VCE = -4V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 3MHz (typical)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on TOS's datasheet for the BD245 transistor.