COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS The BD242C is a PNP power transistor manufactured by PHI (Philips). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Silicon Power Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -45V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -3A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 36W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 20-70 (at IC = 0.5A, VCE = -4V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 3MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: TO-220  

These are the factual specifications for the BD242C transistor from PHI.

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS The BD242C is a power transistor manufactured by STMicroelectronics (ST). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -6A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 65W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15-75  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -65°C to +150°C  

These specifications are based on ST's datasheet for the BD242C transistor.

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS The BD242C is a power transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 6A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 65W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15-75 (at I_C = 4A, V_CE = 2V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the BD242C transistor.