IC Phoenix logo

Home ›  B  › B14 > BD242A

BD242A from ST/FSC,ST Microelectronics

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

BD242A

Manufacturer: ST/FSC

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BD242A ST/FSC 760 In Stock

Description and Introduction

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS The BD242A is a PNP power transistor manufactured by STMicroelectronics.  

**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -45V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -6A (continuous)  
- **Power Dissipation (Ptot):** 65W (at 25°C case temperature)  
- **DC Current Gain (hFE):** 15 to 75 (at IC = -4A, VCE = -4V)  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220 (isolated and non-isolated versions available)  

**FSC (Federal Supply Code) Classification:**  
- **FSCM/NIIN:** Not explicitly listed in the provided knowledge base.  

For detailed datasheets, refer to STMicroelectronics' official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS# BD242A Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BD242A is a medium-power PNP bipolar junction transistor (BJT) primarily employed in  linear amplification  and  switching applications . Common implementations include:

-  Audio Amplifier Output Stages : Used in Class AB push-pull configurations for driving speakers up to 25W
-  Voltage Regulation Circuits : Serves as pass element in linear power supplies with current handling up to 3A
-  Motor Control Systems : Provides switching capability for DC motor drivers in industrial equipment
-  Power Management : Acts as switching element in power converters and battery charging circuits

### Industry Applications
-  Consumer Electronics : Audio amplifiers, power supplies for home entertainment systems
-  Industrial Automation : Motor controllers, solenoid drivers, relay replacements
-  Automotive Systems : Power window controls, fan speed regulators (non-critical applications)
-  Telecommunications : Power regulation in communication equipment backup systems

### Practical Advantages
-  High Current Capability : Sustained 3A collector current with proper heat sinking
-  Robust Construction : TO-220 package enables efficient thermal management
-  Cost-Effective : Economical solution for medium-power applications
-  Simple Drive Requirements : Standard BJT drive circuits suffice

### Limitations
-  Lower Efficiency : Compared to MOSFET alternatives in switching applications
-  Thermal Considerations : Requires adequate heat sinking at higher currents
-  Slower Switching : Maximum switching frequency limited to ~100kHz
-  Current-Driven : Requires significant base current for saturation

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues 
-  Pitfall : Inadequate heat sinking leading to thermal runaway
-  Solution : Calculate thermal resistance (RθJA = 62.5°C/W) and provide sufficient heatsinking
-  Implementation : Use thermal compound and ensure TJ < 150°C under worst-case conditions

 Base Drive Insufficiency 
-  Pitfall : Insufficient base current causing high saturation voltage
-  Solution : Maintain hFE(min) of 15 at IC = 3A, requiring IB ≥ 200mA
-  Implementation : Use Darlington configuration or dedicated driver IC for high-current applications

 Secondary Breakdown 
-  Pitfall : Operating outside Safe Operating Area (SOA) causing device failure
-  Solution : Refer to SOA curves and implement current limiting
-  Implementation : Add fuse or electronic current limit at 3.5A maximum

### Compatibility Issues

 Driver Circuit Compatibility 
-  Microcontroller Interfaces : Requires buffer stage (ULN2003, transistor array) for direct MCU control
-  MOSFET Coexistence : Can be paralleled with MOSFETs using appropriate gate/base drive circuits
-  Mixed Technology Systems : Ensure proper level shifting when interfacing with CMOS/TTL logic

 Voltage Domain Considerations 
-  Negative Voltage Systems : Compatible with negative rail applications (PNP configuration)
-  Ground Reference : Careful attention to grounding in split-supply systems

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Optimization 
- Use 50-100mil trace widths for high-current paths (≥2A)
- Implement star grounding for analog and power grounds
- Place decoupling capacitors (100nF ceramic + 10μF electrolytic) within 10mm of device pins

 Thermal Management Layout 
- Provide adequate copper pour (≥2in²) for heatsinking on PCB
- Use thermal vias when mounting to external heatsink
- Maintain 3mm clearance from heat-sensitive components

 Signal Integrity 
- Keep base drive circuits close to transistor
- Separate high-current and sensitive signal traces
- Use ground planes for noise reduction in audio applications

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Absolute Maximum Ratings 

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BD242A PECOR 40 In Stock

Description and Introduction

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS The BD242A is a PNP power transistor manufactured by PECOR. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCE)**: -45V  
- **Collector-Base Voltage (VCB)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEB)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -3A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 36W  
- **DC Current Gain (hFE)**: 20-70  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

The transistor is typically used in power amplification and switching applications.  

(Source: PECOR datasheet for BD242A)

Application Scenarios & Design Considerations

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS# BD242A Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BD242A is a medium-power PNP bipolar junction transistor (BJT) primarily designed for general-purpose amplification and switching applications. Common implementations include:

 Audio Amplification Stages 
- Class AB push-pull output stages in audio amplifiers (5-20W range)
- Driver stages preceding final power transistors
- Headphone amplifier output stages

 Power Switching Applications 
- Low-frequency switching (up to 50kHz) in power supplies
- Motor control circuits for small DC motors (up to 2A)
- Relay and solenoid drivers
- LED lighting control circuits

 Voltage Regulation 
- Series pass elements in linear voltage regulators
- Current limiting circuits
- Over-voltage protection circuits

### Industry Applications
 Consumer Electronics 
- Audio equipment: home theater systems, portable speakers
- Power management in televisions and set-top boxes
- Battery charging circuits

 Industrial Control Systems 
- Motor control in small industrial equipment
- Process control interface circuits
- Power supply units for control systems

 Automotive Electronics 
- Auxiliary power control circuits
- Lighting control systems
- Sensor interface circuits (non-critical applications)

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  Robust Construction : Metal TO-220 package provides excellent thermal characteristics
-  High Current Capability : Continuous collector current rating of 4A supports substantial power handling
-  Good Voltage Rating : 80V VCEO suitable for many industrial and consumer applications
-  Cost-Effective : Economical solution for medium-power applications
-  Wide Availability : Well-established component with multiple sourcing options

 Limitations: 
-  Frequency Response : Limited to audio and low-frequency applications (fT typically 3MHz)
-  Thermal Management : Requires adequate heatsinking at higher power levels
-  Saturation Voltage : VCE(sat) of ~1.5V at 3A may limit efficiency in switching applications
-  Beta Variation : Current gain (hFE) ranges from 15-75, requiring careful circuit design

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Thermal Runaway 
-  Problem : Increasing temperature reduces VBE, increasing base current, creating positive feedback
-  Solution : Implement emitter degeneration resistors (0.1-1Ω) and ensure proper heatsinking

 Secondary Breakdown 
-  Problem : Localized heating in the silicon causing device failure
-  Solution : Operate within safe operating area (SOA) limits, use snubber circuits for inductive loads

 Insufficient Drive Current 
-  Problem : Under-driving base current leads to poor saturation in switching applications
-  Solution : Ensure base drive current is 1/10 to 1/20 of collector current for saturation

### Compatibility Issues
 Driver Circuit Compatibility 
- Requires adequate base drive current (typically 200-400mA for full saturation)
- Compatible with standard logic families when using appropriate driver stages
- May require level shifting when interfacing with CMOS circuits

 Thermal Interface Materials 
- Use thermal compound with thermal impedance <0.3°C/W
- Compatible with standard TO-220 mounting hardware
- Ensure electrical isolation when required using mica or silicone pads

 Protection Components 
- Requires reverse-biased base-emitter protection diodes in inductive circuits
- Compatible with standard snubber networks (RC circuits)
- Works well with standard current sensing resistors

### PCB Layout Recommendations
 Power Routing 
- Use wide copper traces for collector and emitter connections (minimum 2mm width per amp)
- Place decoupling capacitors (100nF ceramic) close to device pins
- Implement star grounding for power and signal returns

 Thermal Management 
- Provide adequate copper area for heatsinking (minimum 25mm² per watt dissipated

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BD242A FSC 45 In Stock

Description and Introduction

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS The part BD242A is manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation).  

**Specifications:**  
- **Type:** PNP Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -45V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -6A  
- **Power Dissipation (PD):** 65W  
- **DC Current Gain (hFE):** 20-250  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

This information is based on standard FSC specifications for the BD242A transistor.

Application Scenarios & Design Considerations

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS# BD242A Technical Documentation

## 1. Application Scenarios (45%)

### Typical Use Cases
The BD242A is a medium-power PNP bipolar junction transistor (BJT) primarily designed for  general-purpose amplification  and  switching applications . Common implementations include:

-  Audio Amplification Stages : Used in Class AB push-pull configurations for output stages in audio amplifiers (1-20W range)
-  Voltage Regulation Circuits : Serves as series pass element in linear power supplies (up to 3A continuous current)
-  Motor Drive Circuits : Suitable for DC motor control in small appliances and robotics
-  Relay/ Solenoid Drivers : Provides switching capability for inductive loads
-  LED Driver Circuits : Constant current regulation for medium-power LED arrays

### Industry Applications
-  Consumer Electronics : Audio systems, power adapters, home appliances
-  Industrial Control : PLC output modules, sensor interfaces
-  Automotive Electronics : Auxiliary power control, lighting systems (non-critical)
-  Telecommunications : Line drivers, interface circuits
-  Power Management : Battery charging circuits, DC-DC converters

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Robust Construction : TO-220 package provides excellent thermal characteristics
-  High Current Capability : 3A continuous collector current supports medium-power applications
-  Good Frequency Response : fT = 3MHz typical enables audio frequency operation
-  Wide Operating Range : -45V maximum VCEO suits various circuit configurations
-  Cost-Effective : Economical solution for medium-power requirements

 Limitations: 
-  Moderate Speed : Not suitable for high-frequency switching (>100kHz)
-  Current Gain Variation : hFE ranges from 20-100, requiring careful circuit design
-  Thermal Considerations : Requires proper heatsinking at higher currents
-  Saturation Voltage : VCE(sat) of -1.5V (max) affects efficiency in switching applications

## 2. Design Considerations (35%)

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Runaway 
-  Problem : Increasing temperature reduces VBE, causing current hogging in parallel configurations
-  Solution : Use emitter degeneration resistors (0.1-0.5Ω) and proper thermal management

 Secondary Breakdown 
-  Problem : Operation outside Safe Operating Area (SOA) can cause device failure
-  Solution : Implement SOA protection circuits and derate operating parameters

 Storage Time Issues 
-  Problem : Slow turn-off in saturated switching applications
-  Solution : Use Baker clamp circuits or speed-up capacitors in base drive

### Compatibility Issues

 Driver Circuit Compatibility 
- Requires adequate base drive current (IC/10 minimum for saturation)
- Compatible with standard logic families when using appropriate interface circuits
- May require level shifting when interfacing with CMOS circuits

 Thermal Interface Considerations 
- Use thermal compound with heatsinks (thermal resistance: 2.5°C/W junction-to-case)
- Ensure proper mounting torque (0.6-0.8 N·m) for TO-220 package

### PCB Layout Recommendations

 Power Routing 
- Use wide copper traces for collector and emitter paths (minimum 2mm width per amp)
- Implement star grounding for power and signal returns
- Place decoupling capacitors close to device pins (100nF ceramic + 10μF electrolytic)

 Thermal Management 
- Provide adequate copper area for heat dissipation (≥ 4cm² for 1W dissipation)
- Position away from heat-sensitive components
- Consider thermal vias when using multilayer boards

 Signal Integrity 
- Keep base drive circuits compact to minimize parasitic inductance
- Separate high-current paths from sensitive analog signals
- Use guard rings for high-impedance base circuits

## 3. Technical Specifications (20%)

### Key Parameter Explanations

 Absolute Maximum Ratings

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips