COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS The BD242 is a power transistor manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
2. **Package**: TO-220  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -45V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
6. **Collector Current (IC)**: -6A (continuous)  
7. **Total Power Dissipation (Ptot)**: 65W (at 25°C)  
8. **DC Current Gain (hFE)**: 15 to 75 (at IC = 4A, VCE = -4V)  
9. **Transition Frequency (fT)**: 3MHz (typical)  
10. **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These specifications are based on ST's datasheet for the BD242 transistor.