COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS The BD241B is a power transistor manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 3A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 40W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15 to 75 (at I_C = 2A, V_CE = 4V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -65°C to 150°C  

These specifications are based on STMicroelectronics' datasheet for the BD241B transistor.