COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS The BD241A is a silicon NPN power transistor manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications:

- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 6A (DC)
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 40W (at 25°C case temperature)
- **DC Current Gain (hFE)**: 15 to 75 (at IC = 3A, VCE = 2V)
- **Transition Frequency (fT)**: 3MHz (typical)
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -65°C to +150°C
- **Package**: TO-220 (3-pin)

The BD241A is designed for general-purpose amplification and switching applications.

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORSS The BD241A is a power transistor manufactured by STMicroelectronics (ST). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
- **Collector Current (I_C)**: 6A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 40W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15–75 (min/max)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz  

These specifications are based on ST/FSC documentation.